TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Número de pieza | TK4R3A06PL,S4X |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.808 | $0.651 | $0.586 | $0.455 | $0.377 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TK4R3A06PL,S4X |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 96536 pcs |
| Ficha de datos | TK4R3A06PL |
| Foto del Producto | TK4R3A06PL,S4X-001.jpg , TK4R3A06PL,S4X-002.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSIX-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 36W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | TK4R3A06PL,S4X(S TK4R3A06PLS4X |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 68A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
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