SPB18P06PGATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| Número de pieza | SPB18P06PGATMA1 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.53 | $0.469 | $0.37 | $0.287 | ||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SPB18P06PGATMA1 |
|---|---|
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 66868 pcs |
| Ficha de datos | SPB18P06P G |
| Foto del Producto | SPB18P06PGATMA1.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 81.1W (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | SPB18P06PGATMA1CT SPB18P06PGINCT SPB18P06PGINCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18.7A (Ta) |
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