IXTH1N200P3
IXYS Corporation
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| Número de pieza | IXTH1N200P3 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.559 | $2.099 | $1.895 | $1.587 | $1.383 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXTH1N200P3 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 25234 pcs |
| Ficha de datos | IXTx1N200P3(HV) |
| Foto del Producto | IXTH1N200P3-001.jpg , IXTH1N200P3-002.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 (IXTH) |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 2000V |
| Descripción detallada | N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
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