FQPF8N80CYDTU
Fairchild/ON Semiconductor
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| Número de pieza | FQPF8N80CYDTU |
|---|---|
| Fabricante | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.656 | $0.588 | $0.472 | $0.388 | $0.322 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FQPF8N80CYDTU |
|---|---|
| Fabricante | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 62102 pcs |
| Ficha de datos | FQP8N80C, FQPF8N80C |
| Foto del Producto | FQPF8N80CYDTU.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Voltaje - Prueba | 2050pF @ 25V |
| Tensión - Desglose | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | QFET® |
| Estado RoHS | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8A (Tc) |
| Polarización | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | FQPF8N80CYDTU |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 45nC @ 10V |
| Tipo de IGBT | ±30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 800V |
| relación de capacidades | 59W (Tc) |
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