SI4010DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| Número de pieza | SI4010DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.16 | |||||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SI4010DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 138863 pcs |
| Ficha de datos | SI4010DY |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 15A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 6W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SI4010DY-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3595pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 31.3A (Tc) |
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