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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > SMUN5311DW1T1G

SMUN5311DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Número de pieza SMUN5311DW1T1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 871526 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.126$0.094$0.053$0.035$0.027
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Product parameter

Número de pieza SMUN5311DW1T1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 871526 pcs
Ficha de datos MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Foto del Producto SMUN5311DW1T1G.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 250mW
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres SMUN5311DW1T1GOSDKR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base MUN53**DW1
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