SI4542DY

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Número de pieza	SI4542DY
Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS

~~In Stock~~ 68920 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	1 pcs	10 pcs	100 pcs	500 pcs	1000 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$0.682	$0.604	$0.477	$0.37	$0.292

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Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	SI4542DY
Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	68920 pcs
Ficha de datos	SI4542DY
Foto del Producto	SI4542DY.jpg
Categoría	Productos semiconductores discretos
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA
Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max	1W
embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres	SI4542DYCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 5V
Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A 1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A
Número de pieza base	SI4542D

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