TK39J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Número de pieza | TK39J60W5,S1VQ |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.534 | $3.717 | $3.354 | $2.81 | ||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TK39J60W5,S1VQ |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 13557 pcs |
| Ficha de datos | TK39J60W5 |
| Foto del Producto | TK39J60W5,S1VQ.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.7V @ 1.9mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-3P(N) |
| Serie | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 270W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Otros nombres | TK39J60W5,S1VQ(O TK39J60W5S1VQ |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Super Junction |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
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