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STW20N95DK5

STMicroelectronics

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Número de pieza STW20N95DK5
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TO 247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
In Stock 19660 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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$2.865$2.578$2.12$1.776
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Product parameter

Número de pieza STW20N95DK5
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TO 247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible 19660 pcs
Ficha de datos Power Mgmt Guide BrochureSTW(A)20N95DK5 DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETS
Foto del Producto STW20N95DK5-001.jpg , STW20N95DK5-002.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-247
Serie MDmesh™ DK5
RDS (Max) @Id, Vgs 330 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo) 250W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres 497-17761
STW20N95DK5-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) Not Applicable
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50.7nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 950V
Descripción detallada N-Channel 950V 18A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
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