IXFR80N50Q3
IXYS Corporation
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| Número de pieza | IXFR80N50Q3 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.065 | $8.555 | $7.951 | |||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXFR80N50Q3 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4484 pcs |
| Ficha de datos | IXFR80N50Q3 |
| Foto del Producto | IXFR80N50Q3.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 6.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | ISOPLUS247™ |
| Serie | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 72 mOhm @ 40A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 570W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 50A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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