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IXFN80N50P

IXYS Corporation

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Número de pieza IXFN80N50P
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 6182 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs10 pcs30 pcs
$8.906$8.238$7.57
100 pcs250 pcs500 pcs
$7.036$6.457$6.145
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Precio objetivo (USD):
Cantidad:
Total:
$8.906

Product parameter

Número de pieza IXFN80N50P
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 6182 pcs
Ficha de datos IXFN80N50P
Foto del Producto IXFN80N50P.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B
Serie PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs 65 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 195nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V
Descripción detallada N-Channel 500V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
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