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IXFH15N80Q

IXYS Corporation

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Número de pieza IXFH15N80Q
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 6704 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs30 pcs120 pcs
$6.163$5.184$4.764
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$6.163

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Número de pieza IXFH15N80Q
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 6704 pcs
Ficha de datos IXF(H,T)15N80Q
Foto del Producto IXFH15N80Q-001.jpg , IXFH15N80Q-002.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)
Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 600 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres 476021
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V
Descripción detallada N-Channel 800V 15A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
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