EPC2801

EPC

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Número de pieza	EPC2801
Fabricante	EPC
Descripción	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme

~~In Stock~~ 10506 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	100 pcs	300 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$3.512	$3.202

Parámetro del producto
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Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	EPC2801
Fabricante	EPC
Descripción	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	10506 pcs
Ficha de datos	EPC2801
Foto del Producto	EPC2801.jpg
Categoría	Productos semiconductores discretos
Voltaje - Prueba	950pF @ 50V
Tensión - Desglose	Die
VGS (th) (Max) @Id	7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (Max)	5V
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	eGaN®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	25A (Ta)
Polarización	Die
Otros nombres	917-1035-2
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	EPC2801
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10nC @ 5V
Tipo de IGBT	+6V, -5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5V @ 5mA
Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V
relación de capacidades	-

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