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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29GL512T11DHIV10

S29GL512T11DHIV10

Cypress Semiconductor

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Número de pieza S29GL512T11DHIV10
Fabricante Cypress Semiconductor
Descripción IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 9585 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs
$3.135
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Precio objetivo (USD):
Cantidad:
Total:
$3.135

Product parameter

Número de pieza S29GL512T11DHIV10
Fabricante Cypress Semiconductor
Descripción IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 9585 pcs
Ficha de datos S29GL01GT, S29GL512T
Foto del Producto S29GL512T11DHIV10.jpg
Categoría Circuitos integrados (ICS)
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 60ns
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología FLASH - NOR
Paquete del dispositivo 64-FBGA (9x9)
Serie GL-T
embalaje Tray
Paquete / Cubierta 64-LBGA
Otros nombres 428-3617
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9)
Tiempo de acceso 110ns
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