FQP9P25
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de pieza | FQP9P25 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.651 | $0.589 | $0.473 | $0.368 | $0.305 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FQP9P25 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 71478 pcs |
| Ficha de datos | TO220B03 Pkg DrawingFQP9P25 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 620 mOhm @ 4.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 120W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | FQP9P25-ND FQP9P25FS |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V |
| Descripción detallada | P-Channel 250V 9.4A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
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