FQI8N60CTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de pieza | FQI8N60CTU |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.688 | $0.622 | $0.50 | $0.389 | $0.322 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FQI8N60CTU |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 70991 pcs |
| Ficha de datos | FQB8N60C, FQI8N60C |
| Foto del Producto | FQI8N60CTU.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK (TO-262) |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
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