FQB6N40CTM
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de pieza | FQB6N40CTM |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.736 | $0.666 | $0.536 | |||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FQB6N40CTM |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 61560 pcs |
| Ficha de datos | FQB6N40C |
| Foto del Producto | FQB6N40CTM.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1 Ohm @ 3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 73W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | FQB6N40CTMCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 400V |
| Descripción detallada | N-Channel 400V 6A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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