FQA9N90-F109
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de pieza | FQA9N90-F109 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | 1350 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.217 | $1.086 | $0.804 | $0.652 | $0.608 | |
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FQA9N90-F109 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 59830 pcs |
| Ficha de datos | FQA9N90_F109 |
| Foto del Producto | FQA9N90-F109.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-3PN |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 4.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 240W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Otros nombres | FQA9N90_F109 FQA9N90_F109-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 900V |
| Descripción detallada | N-Channel 900V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Tc) |
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