2SK4177-DL-1E
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| Número de pieza | 2SK4177-DL-1E |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.90 | |||||
- Parámetro del producto
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- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 2SK4177-DL-1E |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 40010 pcs |
| Ficha de datos | 2SK4177 |
| Foto del Producto | 2SK4177-DL-1E.jpg |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-263-2 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 13 Ohm @ 1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 80W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 2SK4177-DL-1E-ND 2SK4177-DL-1EOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 37.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1500V |
| Descripción detallada | N-Channel 1500V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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